欧洲四大顶尖研究机构的负责人举行会晤,启动首批五条欧盟芯片法案试点生产线。
比利时imec 的 Luc Van den hove、法国 CEA-Leti 的 François Jacq、德国 Fraunhofer-Gesellschaft 的 Albert Heuberger、意大利 Consiglio Nazionale delle Ricerche 的 Stefano Fabris 和西班牙 ICFO 的 Valerio Pruneri 与新任欧盟委员会副主席 Henna Virkkunen 会面。试验生产线旨在弥合研究创新与制造之间的差距,加强 CMOS 的半导体生态系统。
由 imec 主办的这条耗资 14 亿美金的NanoIC 试验线将超越目前正在开发的 2nm 工艺技术,从 1nm 到 7A。其他合作伙伴包括芬兰的 VTT、罗马尼亚的 CSSNT、爱尔兰的廷德尔国家研究所以及光刻设备制造商 ASML。
imec 还与其他试验线合作,由 CEA-Leti 协调的低功率 FD-SOI(FAMES 试验线)、由 Fraunhofer-Gesellschaft 协调的异构系统集成(APECS 试验线)以及由 ICFO 协调的光子集成电路(PIXEurope),第五条试验线由意大利 Consiglio Nazionale delle Ricerche 牵头,专注于新型宽带隙材料 (WBG)。APEC 的生产线于去年 12 月开始运营。
弗劳恩霍夫 IPMS 项目经理 Kai Zajac 表示:“APECS 试验线的一个关键资产是其分散的结构,它融合了来自德国及其他地区的合作伙伴的专业技术常识。”
“APECS 一站式服务中心位于柏林,为客户提供异构集成和小芯片技术的定制解决方案。在这里,客户与 APECS 合作,确定最终产品的最佳途径。一旦概念成型,广泛的 APECS 合作伙伴网络将与客户深入探讨,并打造最终的原型和产品,”他补充道。
法国格勒诺布尔 CEA-Leti 的生产线正在开发一种FD-SOI 低功耗工艺,工艺精度可达 10nm,超越目前的 22nm 工艺技术。
2024年,欧洲芯片联合企业宣布四条先进半导体中试线项目通过初审,已进入财务评估阶段,目标在晚些时候签署正式建设协议。
这四条试点生产线包括:
基于比利时 imec 微电子研究中心技术的亚 2nm 前沿节点 SoC 中试线;
由法国 CEA-Leti 研究所牵头的先进 FD-SOI 工艺中试线,目标实现 7nm 制程;
由芬兰坦佩雷大学牵头的宽禁带半导体材料中试线;
由德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会牵头的先进异构封装集成中试线。
中试线将在加速工艺开发、设计和测试概念验证产品等方面发挥关键作用。其旨在弥合从实验室到晶圆厂的差距,并将向包括学术界、工业界和研究机构在内的广泛用户开放。这些中试线的建设将基于欧盟和成员国级别的拨款和私人捐款,欧洲芯片联合企业还在公开征集虚拟设计平台,以进一步支撑半导体行业的创新。
值得注意的是,不只是欧洲,目前,全球各地的科研机构和企业正在紧锣密鼓地研究1nm技术,以期实现在半导体制程上的新突破。
Rapidus企业作为日本政府和私营企业的合资企业,拥有强大的技术背景和资金支撑。东京大学则以其在半导体领域的深厚研究基础,为1nm技术的开发提供了重要的科研支撑。这一合作充分发挥了企业的灵活性和学术界的深度,为1nm制程的发展提供了坚实基础。
IBM也一直是半导体技术革新的领跑者。2021年,IBM宣布推出全球首款2nm芯片,这标志着其技术已经接近1nm。2nm芯片的成功研发,不仅显示了IBM在高级半导体技术上的领导地位,也为未来1nm技术的发展奠定了基础。
台积电作为全球领先的晶圆代工厂,其在1nm技术上的研究同样引人注目。台积电计划在2026年动工建设1nm制程工厂,预计2027年开始试产,2028年实现量产。台积电的1nm研究不仅关注制程技术本身,还包括新材料的探索和先进设备的开发,显示出其全面推进1nm技术商业化的决心。
英特尔,作为全球最大的半导体企业之一,其在1nm技术上的探索同样值得关注。英特尔计划使用其Intel 4工艺技术进行下一代处理器的制造,并逐步过渡到更先进的Intel 3工艺。尽管英特尔在工艺命名上采用了不同的策略,但其核心目标仍然是实现更小的晶体管尺寸和更高的集成度。
1nm技术的探索不仅是对半导体工艺的极限挑战,也是对未来电子产品性能极限的探索。这一技术具有巨大的潜力,但同时也伴随着多方面的挑战。1nm技术的成功商用化将对整个电子行业产生深远的影响。它不仅将推动智能手机、计算机、物联网设备等产品的性能提升,也可能为人工智能和高性能计算开辟新的可能性。但与此同时,1nm技术的高成本和复杂性也可能导致半导体行业的进一步集中,只有少数具备足够资源和技术实力的企业能够参与到这一技术的竞争中。
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