英特尔CEO：中国芯片制造技术将落后10年

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据外国媒体报道，在近日举办的2024年度“达沃斯世界经济论坛”上，英特尔CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 表示，在美日荷的联合限制之下，中国与全球顶尖晶圆厂的技术差距为10年！

在达沃斯论坛上，帕特·基辛格首先讨论了全球供应链的脆弱性，这一问题在新冠大流行期间显露无遗。他指出，数十年来的产业政策使芯片制造业集中在亚洲国家，而美国目前正试图通过《芯片与科学法案》扭转这一趋势。这项立法旨在提高美国的技术自给自足能力。

帕特·基辛格称，英特尔最先进的Intel 18A制程将会很快进入制造，未来更为先进的1.5nm晶圆厂将会在德国马德堡上线，这不仅是德国最先进的制造业，也将是世界上最先进的制造业。

在谈到中国在半导体制造领域的追赶时，帕特·基辛格表示，中国的半导体制造业与世界顶级晶圆厂的差距约为10年，而美日荷对于半导体设备的限制更是阻碍了中国半导体制造业的追赶。

“最近大家看到了美国的政策，荷兰的政策，日本的政策等等，它们在10 到7nm范围内设置了一个底线，而大家正在竞相突破2nm，然后是1nm 以下，你知道大家看不到尽头。”帕特·基辛格说道。

中国现有的工具目前只能生产14nm和7nm芯片。而中国台湾的台积电、韩国的SAMSUNG和美国的英特尔等企业正在准备在未来几年内采用更先进的工艺生产 3nm、2nm 甚至更精密的半导体。

帕特·基辛格指出：“虽然有这些限制政策存在，但是中国并不是不会继续创新。但这是一个高度互联的行业，蔡司镜头、ASML的光刻机、日本的化学品和电阻技术、英特尔的大规模制造技术，所有这些加在一起，我认为这是一个10年的差距，而且我认为根据今天实施的出口政策，这将是一个可持续的10年差距，我确实相信这预示着在这种环境下，各国为出口和竞争力制定的政策很好，你知道美国正在努力确保情况确实如此。”

去年，台积电创始人张忠谋也曾表示，美国的制裁可能会让台积电暂时受益，但对此类措施的长期效力表示怀疑。他预计，制裁将使中国在芯片制造技术上落后数年。不过，他也指出，像美国这样的国家也需要大量时间来发展自己的芯片制造能力。