中科院研发者回应5纳米光刻技术突破ASML垄断：是误读

草木皆美

今年7月，在中国科学院官网上发布了一则研究进展，中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究论文，先容了该团队研发的新型5 纳米超高精度激光光刻加工方法。
消息一经发出，外界一片沸腾，一些媒体称此技术可以“突破ASML的垄断”、“中国芯取得重大进展”，“中国不需要EUV光刻机就能制作出5纳米制程的芯片”。
该论文的通讯编辑、中科院研究员、博士生导师刘前告诉《财经》记者，这是一个误读，这一技术与极紫外光刻技术是两回事。