英伟达CEO黄仁勋驳斥传闻：SAMSUNGHBM测试未失败，认证需耐心

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【ITBEAR科技资讯】6月5日消息，近日，在2024年台北国际电脑展上，英伟达企业联合创始人兼首席实行官黄仁勋就有关SAMSUNGHBM(高带宽内存)的认证情况发表了最新言论。他明确表示，英伟达目前仍在认证SAMSUNG的HBM内存，并否认了市场上流传的“SAMSUNGHBM未通过英伟达测试”的说法。

黄仁勋在展会上详细阐述了英伟达对HBM内存的严格认证流程。他强调，尽管目前英伟达已经完成了对SAMSUNGHBM内存的工程设计阶段，但整个验证过程尚未结束。黄仁勋坦言，原本他预计验证工作能够更快完成，然而实际情况是验证过程仍在进行中，这需要更多的时间和耐心。



据ITBEAR科技资讯了解，HBM内存作为一种高性能内存技术，对于提升数据中心和AI加速卡的性能至关重要。目前，SK海力士是英伟达主要的HBM内存供应商，其提供的HBM3和更先进的HBM3e芯片已经得到英伟达的广泛采用。自SK海力士开始供应这些芯片以来，其股价一路飙升。

与此同时，SAMSUNG在HBM领域也在不断努力追赶。然而，5月24日有报道称，SAMSUNG电子最新的HBM芯片因发热和功耗问题而未能通过英伟达的测试。对此，黄仁勋在展会上予以明确否认，表示“根本没有那回事”。