SK海力士出局！

gythy1978

3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由SAMSUNG独家供货，SK海力士出局！

据了解，HBM需要在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，首批HBM3E产品均采用8层堆叠，容量为24GB。SK海力士和SAMSUNG分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称，英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美金的预付款，供应下一代HBM3E。

SK海力士和SAMSUNG都在推进12层堆叠HBM3E的开发，容量也将提升到36GB，其中需要解决一些器件特性和可靠性验证问题。上个月SAMSUNG宣布，已开发出业界首款12层堆叠HBM3E，提供了高达1280GB/s的带宽，预计今年下半年开始大规模量产。

不过市场消息，SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。

今年2月27日，SAMSUNG电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM内存。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。

据报道，SAMSUNG在技术上采用了最新的热压力传导性膜（TC NCF）技术，成功维持了12层产品的高度与其前身8层HBM芯片保持一致，满足了现有的HBM封装要求。

SAMSUNG电子存储产品规划实行副总裁Yongcheol Bae表示，这种技术在未来会带来更大的突破，尤其是在高层次堆叠方面，因为全球都在为此头疼的薄晶圆翘曲问题提供解决之道。他强调，SAMSUNG正在努力减少NCF材料的厚度，并且已经实现了当今市场上最小的芯片间隙（7微米），如此一来就可以消除分层空隙，且新技术的进步提高了垂直密度超过20％。